IXFK64N50P

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 1	20.06€	24.67€
2 - 2	19.05€	23.43€
3 - 4	18.05€	22.20€
5 - 9	17.05€	20.97€
10 - 14	16.65€	20.48€
15 - 19	16.25€	19.99€
20 - 44	15.64€	19.24€

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3 - 4	18.05€	22.20€
5 - 9	17.05€	20.97€
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Conjunto de 1

IXFK64N50P. RoHS: sim. C (pol.): 7900pF. Custo): 790pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 150A. DI (T=100°C): 5.5V. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 830W. On-resistência Rds On: 85m Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264AA. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: dv/dt 20V/ns. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 01:25.

Documentação técnica