Transistores

Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 0.05A. Marcação na caixa: C2310 O. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L (9mm magas). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 0.05A. Marcação na caixa: C2310 Y. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L (9mm magas). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistor B: 10. Resistor BE: 10. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistor B: 10. Resistor BE: 10. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: 0501-000367. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Spec info: 9mm de altura. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 60pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: hFE 120...240. Corrente do coletor: 0.7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V

Custo): 60pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 10A. Marcação na caixa: KSC5027 (O). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 60pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Resistor BE: 10. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Dyn Focus. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 4W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 900V. Spec info: HV switch. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Resistor BE: 10. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Corrente do coletor: 8A. Nota: MONITOR. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Resistor BE: 10. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: High Switching 0.1us. Ganho máximo de hFE: 22. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 7A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 4.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Carcaça: TO-3PF (SOT399). BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Custo): 80pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA (F). Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Spec info: Monitor 68KHz. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 90pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA (F). Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA (F). Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: C5803. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: FM-V/M/O/IF. Corrente do coletor: 0.03A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Spec info: 12149301860. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: FM-V/M/O/IF. Corrente do coletor: 0.03A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 35V. Spec info: 62137301900

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Corrente do coletor: 0.05A. Nota: hFE 350...700. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: 0501-000394

Pinagem: 1. C (pol.): 1.5pF. Custo): 11pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 150mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSA733. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Pinagem: 1. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 150mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSA733. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 35pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 150. Corrente do coletor: 3A. Marcação na caixa: D2012-G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) KSB1366 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 20pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Corrente do coletor: 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 1us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Spec info: 12149-401-070

Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: SD882-Y

Custo): 180pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Modo de comutação de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 4A. Nota: b>750. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Spec info: 0503-000001