Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

KSC5027F-R

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KSC5027F-R. Custo): 60pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 09:25.

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