Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SD882. Custo): 45pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 60. Corrente do coletor: 3A. Ic(pulso): 7A. Marcação na caixa: D882. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB772. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.

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Corrente do coletor: 4A. Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 4A. ...
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Corrente do coletor: 4A. Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 4A. Custo): 15W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJE253. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Corrente do coletor: 4A. Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 4A. Custo): 15W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJE253. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: SD882-Y
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Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Corrente do coletor: 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Spec info: SD882-Y
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