Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v - 2SD882

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Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v - 2SD882. Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: NINCS. Custo): 45pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 7A. Marcação na caixa: D882. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SB772. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante Inchange Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 07:25.

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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-225. Custo): TO-225. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Spec info: transistor complementar (par) MJE253. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V
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Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Spec info: SD882-Y. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN
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