Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

STP75NF75

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STP75NF75. C (pol.): 3700pF. Custo): 730pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 132 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Id(im): 320A. DI (T=100°C): 70A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P75NF75. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.0095 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 66 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 75V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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C (pol.): 5310pF. Custo): 890pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 93 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 550A. DI (T=100°C): 97A. DI (T=25°C): 140A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: IRF3808. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 0.0059 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 68 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 75V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS
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