KSC2310-Y

KSC2310-Y. Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Corrente do coletor: 0.05A. Marcação na caixa: C2310 Y. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L (9mm magas). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 10:25.