Transistores

Material semicondutor: silício. Função: FAST-SWITCH. Ganho máximo de hFE: 18. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 16A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 58W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Quantidade por caixa: 2. Tensão coletor-emissor VCEO: 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Potência: 0.46W. Carcaça: TO-78

Custo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data de produção: 2014/17. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 6. Corrente do coletor: 14A. Ic(pulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

C (pol.): 1700pF. Custo): 184pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 430 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 49W. On-resistência Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 76 ns. Td(ligado): 38 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Função: SMPS, comutação de alta velocidade. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1650pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 355 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 48A. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 49.6W. On-resistência Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 132 ns. Td(ligado): 27 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Função: SMPS, comutação de alta velocidade. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 780pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 272 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 28nC, Crss baixo 24pF. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 5.5A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: +55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1160pF. Custo): 134pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 360ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: MDF9N60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 31 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Função: SMPS, comutação de alta velocidade. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Custo): 2.5pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 175W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.6us. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 8V. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 4pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 25. Corrente do coletor: 50A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 7pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 75...1000. Corrente do coletor: 60A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ11015G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30A. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Frequência de corte ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ11016

RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 4pF. Custo): TO-204AA. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): +200°C. Nota: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ11015. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: PNP. Tipo: Transistor Darlington. Tensão coletor-emissor VCEO: -60V. Corrente do coletor: -50A. Potência: 300W

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Ganho máximo de hFE: 18000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 50A. Ic(pulso): 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Spec info: transistor complementar (par) MJ11033

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ11032G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50A. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Custo): 300pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Ganho máximo de hFE: 18000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Corrente do coletor: 50A. Ic(pulso): 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Spec info: transistor complementar (par) MJ11032

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington PNP. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ11033G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50A. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ15003G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 140V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20A. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15004

RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: 70. C (pol.): TO-3. Custo): TO-204AA. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: Transistor de Potência . Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 20A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15003. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Ic(pulso): 20A

Resistor BE: 70. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Spec info: Motorola. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistor BE: 70. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 6us. Tf(min): 4us. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15016. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ15015G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Frequência de corte ft [MHz]: 6 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Custo): 360pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 6us. Tf(min): 4us. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15015. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Carcaça (padrão JEDEC): TO-204AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJ15016G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Frequência de corte ft [MHz]: 18 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Família de componentes: transistor PNP de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C