MJ15016
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
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| 1 - 4 | 3.58€ | 4.40€ |
| 5 - 8 | 3.40€ | 4.18€ |
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MJ15016. Custo): 360pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 17:25.
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Gan...
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 6us. Tf(min): 4us. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15015. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 0.8 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 15A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 6us. Tf(min): 4us. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJ15015. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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