MJ10005

MJ10005. Custo): 2.5pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 175W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.6us. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 8V. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 17:25.