MDF11N65B

MDF11N65B. C (pol.): 1650pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 355 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 48A. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 49.6W. On-resistência Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 132 ns. Td(ligado): 27 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Função: SMPS, comutação de alta velocidade. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 17:25.