MD2009DFX

MD2009DFX. Material semicondutor: silício. Função: FAST-SWITCH. Ganho máximo de hFE: 18. Ganho mínimo de hFE: 5. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 16A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 58W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 17:25.