Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MDF9N60TH

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MDF9N60TH. C (pol.): 1160pF. Custo): 134pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 360ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: MDF9N60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 31 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Função: SMPS, comutação de alta velocidade. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 17:25.

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