STF11NM60ND

STF11NM60ND. C (pol.): 850pF. Custo): 44pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.37 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.