Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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KSD2012GTU

KSD2012GTU
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KSD2012GTU. Custo): 35pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 150. Corrente do coletor: 3A. Marcação na caixa: D2012-G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) KSB1366 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 20:25.

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