Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.74€ | 2.14€ |
5 - 9 | 1.66€ | 2.04€ |
10 - 24 | 1.57€ | 1.93€ |
25 - 49 | 1.48€ | 1.82€ |
50 - 99 | 1.45€ | 1.78€ |
100 - 249 | 1.41€ | 1.73€ |
250+ | 1.34€ | 1.65€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.74€ | 2.14€ |
5 - 9 | 1.66€ | 2.04€ |
10 - 24 | 1.57€ | 1.93€ |
25 - 49 | 1.48€ | 1.82€ |
50 - 99 | 1.45€ | 1.78€ |
100 - 249 | 1.41€ | 1.73€ |
250+ | 1.34€ | 1.65€ |
2SD2012. Custo): 35pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 3A. Marcação na caixa: D2012. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): 2-10R1A. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1366. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/01/2025, 20:25.
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