Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MD2001FX. Custo): 4pF. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: FAST-SWITCH. Ganho máximo de hFE: 7. Ganho mínimo de hFE: 4.5. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 18A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 58W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Carcaça: ISOWATT218FX. Habitação (conforme ficha técnica): TO-218-FX. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 13:25.

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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Saída de deflexão horizontal. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 12A. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: C5449. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Carcaça: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PFM. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Vebo: 6V
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