FJP13007H1

FJP13007H1. Custo): 110pF. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 28. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: J13007-1. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 13:25.