KTA1663

KTA1663. Custo): 50pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor PNP Planar Epitaxial . Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 20:25.