Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - MD1802FX

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Transistor NPN, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - MD1802FX. Transistor NPN, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custo): 1pF. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de alta tensão para CRT de definição padrão. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 5.5. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 57W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 02:25.

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Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 14A. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data de produção: 2014/17. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 6. Ic(pulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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