Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V - MD1803DFX

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V - MD1803DFX
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V - MD1803DFX. Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. BE diodo: NINCS. Custo): 0.55pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de alta tensão para CRT de definição padrão. Ganho máximo de hFE: 7.5. Ganho mínimo de hFE: 5.5. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 57W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Vebo: 10V. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 09:25.

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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: FAST-SWITCH. Ganho máximo de hFE: 18. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 58W. RoHS: sim. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: FAST-SWITCH. Ganho máximo de hFE: 18. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 58W. RoHS: sim. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V
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