Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MJE13007

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MJE13007. Custo): 80pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 14 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de potência bipolar . Tf(máx.): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 16. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: 13007A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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