Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MJE13005

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MJE13005. Custo): 3pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: S-L. Corrente do coletor: 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Material semicondutor: silício. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 8A. Marcação na caixa: 13005A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS
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Custo): 80pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 14 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Corrente do coletor: 8A. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de potência bipolar . Tf(máx.): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 9V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Função: alta tensão, comutação rápida. Spec info: TO-220. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Função: alta tensão, comutação rápida. Spec info: TO-220. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim
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