Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MJE3055T-FAI

MJE3055T-FAI
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5 - 9 0.88€ 1.08€
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MJE3055T-FAI. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE2955T. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE3055T. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN . Corrente do coletor: 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE2955T
MJE3055T
RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE3055T. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN . Corrente do coletor: 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE2955T
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