Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.76€ | 0.93€ |
5 - 9 | 0.72€ | 0.89€ |
10 - 24 | 0.69€ | 0.85€ |
25 - 49 | 0.65€ | 0.80€ |
50 - 99 | 0.63€ | 0.77€ |
100 - 101 | 0.62€ | 0.76€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 4 | 0.76€ | 0.93€ |
5 - 9 | 0.72€ | 0.89€ |
10 - 24 | 0.69€ | 0.85€ |
25 - 49 | 0.65€ | 0.80€ |
50 - 99 | 0.63€ | 0.77€ |
100 - 101 | 0.62€ | 0.76€ |
MJE350-ST. Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 0.5A. Nota: caixa de plástico. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE340. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 14:25.
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