Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

MJE350-ST

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MJE350-ST. Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 0.5A. Nota: caixa de plástico. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE340. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 14:25.

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Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L, VID.. Corrente do coletor: 0.5A. Equivalentes: KSE340. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126 ( TO-225 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. Spec info: transistor complementar (par) MJE350. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L, VID.. Corrente do coletor: 0.5A. Equivalentes: KSE340. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126 ( TO-225 ). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. Spec info: transistor complementar (par) MJE350. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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