MJE15035G

MJE15035G. Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 10. Corrente do coletor: 4A. Ic(pulso): 8A. Nota: transistor complementar (par) MJE15034G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 14:25.