MJE200G

MJE200G. Custo): 80pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 65MHz. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 45. Corrente do coletor: 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complementar (par) MJE210. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 14:25.