MJW21196

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1 - 1	7.12€	8.76€
2 - 2	6.77€	8.33€
3 - 4	6.41€	7.88€
5 - 9	6.05€	7.44€
10 - 19	5.91€	7.27€
20 - 29	5.77€	7.10€
30+	5.56€	6.84€

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MJW21196. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Excelente linearidade de ganho. Ganho máximo de hFE: 80. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 16A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJW21195. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 23:25.

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