Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V - MJL21196

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V - MJL21196
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Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V - MJL21196. Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Spec info: transistor complementar (par) MJL21195. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 02:25.

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Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204AA ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. Custo): 2pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJ21195. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V
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