Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

MMBF5458

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MMBF5458. C (pol.): 4.5pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Função: Uni sym. Idss (máx.): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 61 S. Pd (dissipação de energia, máx.): 2mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: transistor JFET de uso geral. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 25V. Tensão porta/fonte Vgs: 3.5V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 61S. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 16:25.

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C (pol.): 4.5pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Função: Uni sym. Idss (máx.): 9mA. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: transistor JFET de uso geral. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 25V. Tensão porta/fonte Vgs: 3.5V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS
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