MJW1302AG

MJW1302AG. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Transistor de potência bipolar complementar. Data de produção: 201446. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Tecnologia: Transistor bipolar de potência. Spec info: transistor complementar (par) MJW3281A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.