Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MJL3281A

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MJL3281A. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Transistor de potência bipolar complementar. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL1302A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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Custo): 200pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Amplificador de potência HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Corrente do coletor: 15A. Marcação na caixa: C5200 (Q). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1943. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: NF-E HI-FI. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1302. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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