Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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2SC3298-PMC

2SC3298-PMC
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2SC3298-PMC. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 70. Corrente do coletor: 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Carcaça: TO-220FP. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1306. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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2SC5171

2SC5171

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ga...
2SC5171
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 2A. Marcação na caixa: C5171. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.16V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1930 . Função: TV, SL. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SC5171
Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 2A. Marcação na caixa: C5171. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.16V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1930 . Função: TV, SL. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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