MMBT2907ALT1G

Quantidade (Conjunto de 10)	sem IVA	IVA incl.
1 - 4	0.53€	0.65€
5 - 9	0.50€	0.62€
10 - 24	0.48€	0.59€
25 - 49	0.45€	0.55€
50 - 99	0.42€	0.52€
100 - 111	0.40€	0.49€

Quantidade (Conjunto de 10)	U.P
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5 - 9	0.50€	0.62€
10 - 24	0.48€	0.59€
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Conjunto de 10

MMBT2907ALT1G. Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.6A. Ic(pulso): 1.2A. Marcação na caixa: 2F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 10:25.

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