Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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MPSA92

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MPSA92. Condicionamento: rolo. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de Alta Tensão. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2000. Spec info: transistor complementar (par) MPSA42. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 16:25.

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Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 50mA. Ic...
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Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Ganho mínimo de hFE: 40. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 830mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF420 . Diodo CE: sim
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Custo): 6pF. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de Alta Tensão. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 500mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício epitaxial PNP. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Custo): 6pF. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de Alta Tensão. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Corrente do coletor: 500mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício epitaxial PNP. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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