MMD50R380P

MMD50R380P. C (pol.): 702pF. Custo): 357pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 256ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 33A. DI (T=100°C): 6.95A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 1uA. Marcação na caixa: 50R380. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 59.6ns. Td(ligado): 15.2ns. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Nota: Baixa perda de energia por comutação de alta velocidade e baixa resistência. Função: Estágios de fonte de alimentação PFC, aplicações de comutação, controle de motor, conversor DC-DC. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 07:25.