Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 5.17€ | 6.36€ |
2 - 2 | 4.91€ | 6.04€ |
3 - 4 | 4.65€ | 5.72€ |
5 - 9 | 4.39€ | 5.40€ |
10 - 19 | 4.29€ | 5.28€ |
20 - 29 | 4.19€ | 5.15€ |
30 - 30 | 3.83€ | 4.71€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.17€ | 6.36€ |
2 - 2 | 4.91€ | 6.04€ |
3 - 4 | 4.65€ | 5.72€ |
5 - 9 | 4.39€ | 5.40€ |
10 - 19 | 4.29€ | 5.28€ |
20 - 29 | 4.19€ | 5.15€ |
30 - 30 | 3.83€ | 4.71€ |
NTE130. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2.5 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 15A. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementar (par) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 00:25.
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