Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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NJW1302

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NJW1302. C (pol.): 9pF. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30MHz. Função: amplificador de potência de áudio. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 75. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) NJW3281. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 00:25.

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Custo): 1.7pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: hFE 45(min). Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL3281A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Custo): 1.7pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: hFE 45(min). Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJL3281A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Transistor de potência bipolar complementar. Data de produção: 201446. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 50. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 230V. Vebo: 5V. Tecnologia: Transistor bipolar de potência. Spec info: transistor complementar (par) MJW3281A. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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