NTE219

Quantidade	sem IVA	IVA incl.
1 - 1	7.74€	9.52€
2 - 2	7.35€	9.04€
3 - 4	6.97€	8.57€
5 - 9	6.58€	8.09€
10 - 15	6.43€	7.91€

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Conjunto de 1

NTE219. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2.5 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 15A. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementar (par) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 00:25.

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