NP82N055PUG

NP82N055PUG. C (pol.): 6400pF. Custo): 465pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 42 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 328A. DI (T=25°C): 82A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 82N055. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 142W. On-resistência Rds On: 4.1m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): MP-25ZP. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 900. Spec info: transistor MOSFET . Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 00:25.