NTGS3446

NTGS3446. C (pol.): 510pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 20 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=25°C): 5.1A. Idss (máx.): 25uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 446. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): TSOP-6. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 20V. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) mín.: 0.6V. Número de terminais: 6. Função: Aplicações de bateria de íon de lítio, notebook . Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 3000. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 15/01/2025, 00:25.