Transistores

C (pol.): 25pF. Custo): 10pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Interface e comutação. Id(im): 0.8A. DI (T=25°C): 115mA. Idss (máx.): 115mA. Marcação na caixa: RKM. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. On-resistência Rds On: 7.5 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Silicon N-channel MOSFET. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Custo): 100pF. Material semicondutor: silício. Função: DTR.. Corrente do coletor: 0.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia/código CMS XJ

C (pol.): 780pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão DC-DC. Id(im): 14A. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: TM. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.25W. On-resistência Rds On: 65m Ohms. RoHS: sim. Passo: 2.9x1.6mm. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): TSMT6. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 6. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção GS: sim

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 10A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 2.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. On-resistência Rds On: 0.074 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N-Ch MOS FET. Habitação (conforme ficha técnica): TSMT3. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 1. Nota: impressão de tela/código SMD QY. Função: comutação de energia, conversores DC/DC

C (pol.): 1830pF. Custo): 410pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 35A. DI (T=25°C): 9.5A. Idss (máx.): 1uA. Marcação na caixa: TB. Número de terminais: 8:1. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 78 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MOSFET N-ch de unidade 4V. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 45V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Função: comutação de energia, conversores DC/DC, inversores. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. On-resistência Rds On: 0.0125 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: MOSFET N-ch de unidade 4V. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-218. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: S2000N. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1.5 kV. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 1500V. Corrente do coletor: 8A. Potência: 50W. Diodo embutido: sim. Carcaça: TO-247-T

Custo): 9pF. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247F. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 35pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF/L, HI-FI Audio. Corrente do coletor: 15A. Nota: hFE 5000...20000. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Spec info: transistor complementar (par) SAP15P. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Custo): 35pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF/L, HI-FI Audio. Corrente do coletor: 15A. Nota: hFE 5000...20000. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Spec info: transistor complementar (par) SAP15P. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Função: Transistor N MOSFET. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 20A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Cool Mos. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 4.4A. Idss (máx.): 4.4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 28W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Tecnologia: V-MOS (F). Tensão Vds(máx.): 200V. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 3.4A. Idss (máx.): 3.4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. On-resistência Rds On: 1.3 Ohms. Tecnologia: V-MOS TO220F. Tensão Vds(máx.): 250V. Quantidade por caixa: 1. Nota: On 13ns, Off 40ns

C (pol.): 1970pF. Custo): 310pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Função: IGBT de alta velocidade. Corrente do coletor: 48A. Ic(pulso): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marcação na caixa: G30N60RUFD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 235W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 30 ns. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SGH80N60UF. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 80A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 195W. Corrente máxima do coletor (A): 220A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 550pF. Custo): 62pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 40A. Ic(T=100°C): 10.6A. Marcação na caixa: G10N60A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 92W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 178 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: IGBT rápido em tecnologia NPT. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Função: Controles do motor, inversor. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. C (pol.): 1250pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Diodo Trr (mín.): 3. Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): 52A. Ic(T=100°C): 15A. Marcação na caixa: G15N120. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 198W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 580 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: IGBT rápido em tecnologia NPT. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.6V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Função: Controles de motor, inversor, SMPS. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. C (pol.): 1600pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Diodo Trr (mín.): 3. Corrente do coletor: 41A. Ic(pulso): 112A. Ic(T=100°C): 30A. Marcação na caixa: G30N60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 291 ns. Td(ligado): 44 ns. Tecnologia: IGBT rápido em tecnologia NPT. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Função: Controles do motor, inversor. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G30N60HS. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 122 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Corrente máxima do coletor (A): 112A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Custo): 8pF. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SGW25N120. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 46A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 990 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 313W. Corrente máxima do coletor (A): 84A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G30N60. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 53 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 389 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Corrente máxima do coletor (A): 112A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: G30N60HS. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 41A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 122 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Corrente máxima do coletor (A): 112A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): tubo de plástico. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 106 ns. Td(ligado): 16 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V