Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

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RSS095N05. C (pol.): 1830pF. Custo): 410pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 35A. DI (T=25°C): 9.5A. Idss (máx.): 1uA. Marcação na caixa: TB. Número de terminais: 8:1. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 78 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: MOSFET N-ch de unidade 4V. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 45V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Função: comutação de energia, conversores DC/DC, inversores. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 19:25.

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