Transistores

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Power MOSFET. Id(im): 40Ap. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 6.2A. Idss (máx.): 20uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. On-resistência Rds On: 0.026 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 12.5 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 80V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: D-S-MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: IDM--20App, td(on)--12&8nS, td(off)--23&21nS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4532ADY-T1-E3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A/-3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns/8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23/21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.13W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 340pF. Custo): 67pF. Tipo de canal: N-P. Diodo Trr (mín.): 30 ns. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: D-S-MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: IDM--24&15App, td(on)--7.5&5.5nS, td(off)--14&17nS. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4532CDY-T1-E3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns/10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25/30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 305/340pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.14W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: D-S-MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: IDM--30&30App, td(on)--6&7nS, td(off)--30&40nS

Tipo de canal: N-P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: D-S-MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: IDM--20&20App, td(on)--6&13nS, td(off)--18&47nS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4559EY. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns/8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 36/12ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.4W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 40Ap. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 4800B. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.0155 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, MOSFET de potência. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2000pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=100°C): 9.9A. DI (T=25°C): 12.4A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.0074 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: sim

Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 60 ns. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 7.1A. Idss (máx.): 7.1A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 2. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: P. DI (T=100°C): 5.9A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 7.3A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. On-resistência Rds On: 0.024 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 2. Função: td(on) 10ns, td(off) 45ns

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 840pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 Ohm @ 4,7A. Marcação do fabricante: SI4946BEY-T1-E3

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4946EY-T1-E3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 60 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.4W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. DI (T=25°C): 2.4A. Idss (máx.): 2.4A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Quantidade por caixa: 2. Unidade de condicionamento: 2500

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4948BEY-T1-GE3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ -3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 75 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.4W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 600pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 4.7A. Idss (máx.): 10nA. IDss (min): 1nA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.2W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI9410BDY-E3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=25°C): 5.3A. Idss (máx.): 5.3A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.055 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: V-MOS. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 1

Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: (G-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

Função: 9.31k Ohms. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: 2xN-CH 30V. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI9936BDY. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 550pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: SMD. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2

Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: 9.31k Ohms. DI (T=100°C): 3.7A. Idss (máx.): 3.2A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: 2xN-CH 60V. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI9953DY. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 40 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 90 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C