Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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SI9435BDY

SI9435BDY
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SI9435BDY. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=25°C): 5.3A. Idss (máx.): 5.3A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.055 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: V-MOS. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.

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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: FDS9435A. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 528pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: P-Channel PowerTrench MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V
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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: FDS9435A. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 528pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: P-Channel PowerTrench MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V
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