Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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1SS133

1SS133
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1SS133. Cj: 2pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Corrente direta (AV): 130mA. IFSM: 400mA. RM (máx.): 0.5uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-34 ( SOD68 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-34. Tensão limite Vf (máx.): 1.2V. VRRM: 80V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.

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Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de alta velocidade. Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Outro nome: IN4148. RM (máx.): 50uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Temperatura operacional: -65...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 75V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
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Cj: 4pF. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 4 ns. Material semicondutor: silício. Função: Diodos de alta velocidade. Corrente direta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Outro nome: IN4148. RM (máx.): 50uA. RM (min): 25nA. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DO-35 ( SOD27 ). Habitação (conforme ficha técnica): DO-35. Temperatura operacional: -65...+200°C. Tensão limite Vf (máx.): 1V. Tensão direta Vf (min): 1V. VRRM: 75V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
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