SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 840pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0,052 Ohm @ 4,7A. Marcação do fabricante: SI4946BEY-T1-E3. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 10:25.