Transistor de canal P, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v - SI4925BDY

Transistor de canal P, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v - SI4925BDY. Transistor de canal P, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 7.1A. Idss (máx.): 7.1A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 60 ns. DI (T=100°C): 5.7A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Quantidade por caixa: 2. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 00:25.