Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.65€ | 2.03€ |
5 - 9 | 1.57€ | 1.93€ |
10 - 24 | 1.49€ | 1.83€ |
25 - 49 | 1.41€ | 1.73€ |
50 - 99 | 1.37€ | 1.69€ |
100 - 249 | 1.34€ | 1.65€ |
250 - 2256 | 1.27€ | 1.56€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.65€ | 2.03€ |
5 - 9 | 1.57€ | 1.93€ |
10 - 24 | 1.49€ | 1.83€ |
25 - 49 | 1.41€ | 1.73€ |
50 - 99 | 1.37€ | 1.69€ |
100 - 249 | 1.34€ | 1.65€ |
250 - 2256 | 1.27€ | 1.56€ |
SI4925BDY. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 60 ns. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 7.1A. Idss (máx.): 7.1A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Quantidade por caixa: 2. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 10:25.
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