SI4800BDY-T1-E3

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1 - 4	1.30€	1.60€
5 - 9	1.24€	1.53€
10 - 24	1.17€	1.44€
25 - 49	1.11€	1.37€
50 - 59	1.08€	1.33€

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Conjunto de 1

SI4800BDY-T1-E3. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 40Ap. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 5uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 4800B. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.0155 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, MOSFET de potência. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 10:25.

Documentação técnica