SI9410BDY-E3

SI9410BDY-E3. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263AB. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI9410BDY-E3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 10:25.