SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4532CDY-T1-E3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns/10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25/30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 305/340pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.14W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 10:25.